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Cypress Semiconductor CY7C1386F Manual de usuario Pagina 22

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CY7C1386D, CY7C1386F
CY7C1387D, CY7C1387F
Document Number: 38-05545 Rev. *H Page 22 of 36
I
DD
V
DD
operating supply current V
DD
= Max.,
I
OUT
= 0 mA,
f = f
MAX
= 1/t
CYC
4 ns cycle, 250 MHz – 350 mA
5 ns cycle, 200 MHz – 300 mA
6 ns cycle, 167 MHz – 275 mA
I
SB1
Automatic CE power-down
current—TTL inputs
V
DD
= Max,
device deselected,
V
IN
V
IH
or V
IN
V
IL
f = f
MAX
= 1/t
CYC
4 ns cycle, 250 MHz – 160 mA
5 ns cycle, 200 MHz – 150 mA
6 ns cycle, 167 MHz – 140 mA
I
SB2
Automatic CE power-down
current—CMOS inputs
V
DD
= Max,
device deselected,
V
IN
0.3 V or
V
IN
> V
DDQ
– 0.3 V,
f = 0
All speeds – 70 mA
I
SB3
Automatic CE power-down
current—CMOS inputs
V
DD
= Max,
device deselected, or
V
IN
0.3 V or
V
IN
> V
DDQ
– 0.3 V
f = f
MAX
= 1/t
CYC
4 ns cycle, 250 MHz – 135 mA
5 ns cycle, 200 MHz – 130 mA
6 ns cycle, 167 MHz – 125 mA
I
SB4
Automatic CE power-down
current—TTL inputs
V
DD
= Max,
device deselected,
V
IN
V
IH
or V
IN
V
IL
,
f = 0
All speeds – 80 mA
Capacitance
Parameter
[23]
Description Test Conditions
100-pin TQFP
Max
119-ball BGA
Max
165-ball FBGA
Max
Unit
C
IN
Input capacitance T
A
= 25 C, f = 1 MHz,
V
DD
= 3.3 V, V
DDQ
= 2.5 V
5 8 9 pF
C
CLK
Clock input capacitance 5 8 9 pF
C
IO
I/O capacitance 5 8 9 pF
Electrical Characteristics (continued)
Over the Operating Range
Parameter
[21, 22]
Description Test Conditions Min Max Unit
Thermal Resistance
Parameter
[23]
Description Test Conditions
100-pin TQFP
Package
119-ball BGA
Package
165-ball FBGA
Package
Unit
JA
Thermal resistance
(junction to ambient)
Test conditions follow
standard test methods and
procedures for measuring
thermal impedance, in
accordance with
EIA/JESD51.
28.66 23.8 20.7 °C/W
JC
Thermal resistance
(junction to case)
4.08 6.2 4.0 °C/W
Note
23. Tested initially and after any design or process change that may affect these parameters.
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